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TVS 的簡介

第一代TVS主要以3寸，4寸晶圓流片為主，大封裝形式（SMA,SMB,SMC.SMD）, 這種產(chǎn)品主要是功能性的，產(chǎn)品的漏電電流大，擊穿電壓不穩(wěn)，良率低，鉗位電壓高，電容大等問題；第二代TVS主要以5寸，6寸晶圓流片為主，以打線封裝為主（DFN,SOT,SOD,SOP）, 這種產(chǎn)品是目前應(yīng)用的較多的一種，產(chǎn)品的漏電電流小，擊穿電壓穩(wěn)定，良率高，鉗位 電壓一般，電容有低容，普容和高容，6寸可以做回掃型ESD產(chǎn)品；第三代TVS主要以8寸晶圓流片為主，以CSP晶圓級封裝為主（DFN）,這種產(chǎn)品是高性能的ESD，采用8寸的先進制造工藝，穩(wěn)定控制產(chǎn)品的各種參數(shù)，具有漏電電流小， 擊穿電壓穩(wěn)定，良率高，鉗位電壓低，電容有低容，普容和高容；做回掃型ESD產(chǎn)品性能更優(yōu)，CSP晶圓級封裝可以提高產(chǎn)品性能。

接下來我們來分享常規(guī)ESD和回掃型ESD特性區(qū)別。

常規(guī)ESD特性曲線圖                          回掃型ESD曲線圖

從以上圖片可以看出兩者的區(qū)別，回掃型ESD最大的特點是在電壓到達VT1觸發(fā)電壓后，瞬間把ESD兩端的鉗位電壓拉低到工作電壓VRWM和觸發(fā)電壓VT1之間，這個電壓稱為Vh，之后隨著電流的增加電壓逐漸增大。回掃ESD的特性就是在IPP一樣的情況下，VC鉗位電壓比常規(guī)的ESD器件低30%以上，做到提前釋放能量，極大的保護了IC乃至整個電路的安全。下面給大家重點介紹回掃型ESD的新型封裝技術(shù)CSP:

TVS新型封裝CSP

CSP封裝的概念: Chip Scale Package 芯片級封裝 (晶圓級封裝)

WLP （WLP，Wafer Level Package）一般定義為直接在晶圓上進行大多數(shù)或全部 的封裝與測試，之后再進行切割（singulation ）制成單顆組件的技術(shù)。而RDL、 bumping、copper pillar、TSV等技術(shù)是WLP的關(guān)鍵技術(shù)。

新型封裝CSP與傳統(tǒng)封裝對比

傳統(tǒng)框架類封裝：

關(guān)鍵技術(shù)： 劃片上芯； 打線； 塑封； 切割；

CSP連接方式：

關(guān)鍵技術(shù)： 硅通孔技術(shù)； 焊料隆起技術(shù)； 銅柱隆起； 重布線；

CSP封裝優(yōu)勢

ü 封裝尺寸更小，功率更大

ü 體積更小，設(shè)計更靈活

ü 無框架載體，寄生參數(shù)小

ü 散熱好

ü 先進制程，成品率高

ü 高可靠性，高生產(chǎn)效率

微小型CSP封裝 適合TVS，diodes，schottky，主流尺寸在0.6mmx0.3mm , 0.4mmx0.2mm的CSP封裝

優(yōu)勢產(chǎn)品推薦

帶回掃ESD

JUB05CD2:  5V雙向， DFN1006-2封裝， 體積小，15pf，8A，IPP高，VC低，阻抗小，帶回掃。

JUB 12CD2:  12V雙向， DFN1006-2封裝， 體積小，8pf，9A，VC低，阻抗小，帶回掃。

大功率ESD

JGUB12D2:  12V單向， DFN1006-2封裝， 體積小，功率大，阻抗小。

JES1211P1： 12V單向， DFN1006-2封裝， 體積小，功率大，阻抗小。

大功率帶回掃ESD

CSPJB0511D2:  5V雙向， DFN1006-2封裝， 體積小，100A，IPP高，VC低，阻抗小，帶回掃。

大功率ESD

JGUB12D2:  12V單向， DFN1006-2封裝， 體積小，功率大，阻抗小。

JES1211P1： 12V單向， DFN1006-2封裝， 體積小，功率大，阻抗小。

大功率帶回掃ESD

CSPJB0511D2:  5V雙向， DFN1006-2封裝， 體積小，100A，IPP高，VC低，阻抗小，帶回掃。